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藍(lán)寶石


名稱：藍(lán)寶石/氧化鋁(Al2O3)晶體基片

Al2O3單晶（Sapphire，又稱白寶石，藍(lán)寶石）有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學(xué)腐蝕，它耐高溫，導(dǎo)熱好，硬度高，透紅外，化學(xué)穩(wěn)定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料，為滿足日益增長(zhǎng)的藍(lán)、紫、白光發(fā)光二極管（LED）和藍(lán)光激光器（LD）的需要，科晶公司專業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的藍(lán)寶石晶體和外延拋光基片，將為您提供大量高質(zhì)量低價(jià)格的單晶和基片

晶體結(jié)構(gòu)：

六方  a =4.758 ?   c= 12.992 ?

結(jié)晶方向：

(11-20 ) - a plane：2.379 ?  (1-102) - r plane：3.479?

(30-30) - m plane：1.375 ?  (0006) - c plane：2.165 ?

單晶純度：

> 99.99%

熔點(diǎn)：

2040 ℃

密度：

3.98  g/cm3

硬度：

9 (mohs)

熱膨脹：

7.5 (x10-6/ oC)

熱容：

0.10( cal / oC)

熱導(dǎo)：

46.06 @ 0 oC  25.12 @ 100 oC,  12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )

介電常數(shù)：

~ 9.4 @300K  at A axis    ~ 11.58@ 300K at C axis

正切損耗：

< 2x10-5 at A axis , <5 x10-5 at C axis

1、 C-Plane藍(lán)寶石基板

廣泛使用的供GaN生長(zhǎng)的藍(lán)寶石基板面.這主要是因?yàn)樗{(lán)寶石晶體沿C軸生長(zhǎng)的工藝成熟、成本相對(duì)較低、物化性能穩(wěn)定,在C面進(jìn)行磊晶的技術(shù)成熟穩(wěn)定。

2、R-Plane或M-Plane藍(lán)寶石基板

主要用來(lái)生長(zhǎng)非極性/半極性面GaN外延薄膜,以提高發(fā)光效率.通常在藍(lán)寶石基板上制備的GaN外延膜是沿c軸生長(zhǎng)的，c軸是GaN的極性軸，導(dǎo)致GaN基器件有源層量子阱中出現(xiàn)很強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，發(fā)光效率會(huì)因此降低，發(fā)展非極性面GaN外延，克服這一物理現(xiàn)象，使發(fā)光效率提高。

3、 圖案化藍(lán)寶石基板(Pattern Sapphire Substrate簡(jiǎn)稱PSS)

以成長(zhǎng)(Growth)或蝕刻(Etching)的方式,在藍(lán)寶石基板上設(shè)計(jì)制作出納米級(jí)特定規(guī)則的微結(jié)構(gòu)圖案藉以控制LED之輸出光形式，并可同時(shí)減少生長(zhǎng)在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷，改善磊晶質(zhì)量，并提升LED內(nèi)部量子效率、增加光萃取效率。

4、此外，可按客戶要求加工定制藍(lán)寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺(tái)等各種結(jié)構(gòu)件。

晶向：

C, A, M, R   公差：±0.5度

尺寸：

dia6“x1.1mm     dia4”x0.65mm  dia3“x0.5mm,  dia2”x0.43mm,10x10x0.4mm,15x15x0.4mm, 15x15x0.4mm, 20x20x0.4mm等各種尺寸

拋光情況：

單拋、雙拋

表面粗糙度：

Ra<3A（5*5μm范圍內(nèi)）

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。