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二、氧化硅片（國產(chǎn)/進口）
1-8英寸直拉CZ、區(qū)熔FZ、單雙面氧化硅片；超薄5nm至超厚10um氧化層均可提供；
專利干氧離子分層氧化均勻性<1%，氧化層致密無漏電，各種特殊厚度要求均可提供；
可提供100nm.285nm、300nm、500nm、1um、2um等不同尺寸進口氧化硅片；
二、氧化硅片參數(shù)信息概要
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生長方式/Growth |
Thermal oxidation 熱氧化（1、干氧/ 2、干氧+濕氧+干氧） |
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等級/Grade |
Prime Coating thickness: 5nm to 10000nm±1%超平整氧化厚度均勻性<1%； |
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直徑/Diameter |
4inch /100mm (1 inch – 8 inch / 25.4mm – 200mm) |
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厚度/Thickness |
50nm、100nm、200nm、285nm、300nm、500nm、800nm、1um、2um、3um、5um、8um、10um, etc.5nm到10um各種厚度均可定制. |
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表面狀態(tài)/Finish |
SSPDSP，etc.單拋單面氧化、單拋雙面氧化、雙拋單面氧化、雙拋單面氧化等； |
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晶向/orientation |
（100）（111）（110）（211）（311）（511）(531)，etc. |
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晶向偏角/Off cut |
up to 7deg |
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摻雜類型/Type/Dopant |
P/B,N/Phos，N/Sb，N/As，Intrinsic |
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電阻率/Resistivity |
CZ/MCZ: From 0.001 to 100 ohm.cm |
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FZ: From 100 to >20000 ohm.cm |
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薄膜/Thin films |
PVD:Al、Ni、Cu、Ti、Ag、Au、Pt、Fe、Mo，etc. Coating thickness: up to 3000nm±5% |
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LPCVD/PECVD:Oxide、Nitride、TEOS、LTO、SIPOS、SiC、POLY、etc. Coatingthickness: up to 3000nm±3% |
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Thermal oxidation:Oxide Coatingthickness: 5nm to 10000nm±1% |
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Silicon epitaxial wafers and epitaxial services（SOS、GOI、SOI、GaN、GaAs、InP,etc.) |
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加工服務(wù)/Processes |
定制單雙拋單雙面氧化硅片、超薄、超厚、超平氧化硅片、切割不同尺寸、不同形狀，打孔氧化硅片； SSP,DSP,ultrathin，ultra flat，etc. |
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打孔、掏圓、切割、減薄/Punch、Downsizing、dicing、back grinding，etc. |
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微納加工/MEMS；定制各種氧化層厚度，各種條件組合的氧化硅片，超薄氧化，超厚氧化； |